高温单晶炉
1.设备用途
可在真空或保护气氛条件下进行高温晶体材料的下降式生长,如光学晶体,蓝宝石LED衬底单晶,氟化物晶体等。
2.技术参数
2.1.电源方式:可控硅电阻加热
2.2.发热体:石墨或钨
2.3.最高温度:2200℃
2.4.极限真空度:6*10-3Pa
2.5.坩埚尺寸:客户订制
2.6.测温系统:热电偶+双色红外仪
2.7.压升率:2Pa/小时
2.8.坩埚位移速度:下降速度(正转):0.20-10mm/h无级变速,控制精度:±0.01mm。手动、自动均可自由切换。可正反转(即可上升或下降),上升(反转)时,自动运行速度可控制在10-100 mm/min。
2.9.炉内充气压力:≤0.06Mpa
2.10.气氛控制:实现在设定炉压范围内自动控制
2.11.设备操作:自动/手动