高温单晶炉
 

1.设备用途

　　可在真空或保护气氛条件下进行高温晶体材料的下降式生长，如光学晶体,蓝宝石LED衬底单晶,氟化物晶体等。

2.技术参数

2.1.电源方式：可控硅电阻加热

2.2.发热体：石墨或钨

2.3.最高温度：2200℃

2.4.极限真空度：6*10-3Pa

2.5.坩埚尺寸：客户订制

2.6.测温系统：热电偶+双色红外仪

2.7.压升率：2Pa/小时

2.8.坩埚位移速度：下降速度（正转）：0.20-10mm/h无级变速，控制精度：±0.01mm。手动、自动均可自由切换。可正反转（即可上升或下降），上升（反转）时,自动运行速度可控制在10-100 mm/min。

2.9.炉内充气压力：≤0.06Mpa

2.10.气氛控制：实现在设定炉压范围内自动控制

2.11.设备操作:自动/手动